根據外媒報導，SK海力士決定與臺灣TSMC（臺積電）攜手，共同開發人工智能（AI）半導體所必需的新壹代高帶寬存儲器（HBM）。SK海力士原本在HBM領域位居全球第一位，此次與臺積電合作係看上臺積電在「Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）」等高階封裝技術同樣位居全球領先地位。兩家公司異業合作，以便增加未來在AI及HBM技術與三星電子競爭。

2024年4月19日，SK海力士表示，將與TSMC簽署技術合作諒解備忘錄（MOU），共同開發計劃於2026年批量生產的HBM4（第6代HBM）。

兩家公司計劃改善與AI運算裝置連接，控制HBM的“底模（Base Die）”的性能。通過技術合作，SK海力士與臺積電將最先開發並批量生產第6代HBM。目前，SK海力士和三星電子正在展開第5代HBM技術競爭。上月20日，SK海力士宣布成功批量生產第5代8H（8層堆疊）HBM3E後，三星電子宣布首次開發出了比8層堆疊多4層的12H HBM3E。然而伴隨SK海力士挾TSMC技術優勢後，未來將可望持續領先三星。。

什麼是HBM（High Bandwidth Memory）?

HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬記憶體，屬於圖形DDR記憶體的一種，通過使用先進的封裝方法（如TSV矽通孔技術）垂直堆疊多個DRAM，與GPU通過仲介層互聯封裝在一起。

基於TSV工藝的DRAM堆疊技術則顯著提升了帶寬，並降低功耗和封裝尺寸。根據SAMSUNG，3DTSV工藝較傳統POP封裝形式節省了35%的封裝尺寸，降低了50%的功耗，並且對比帶來了8倍的帶寬提升。

而這項高效能記憶體技術主要用在高度運算和大型資料處理，具有高頻寬和低功耗的特點，極其適合應用在圖形處理、人工智慧、機器學習等領域。

伴隨著資料傳輸與AI學習需要更強大的運算能力， HBM DDR就成為AI伺服器中不可或缺的重要角色。HBM DDR的演進過過程從2013年HBM出現後，至今已經發展到HBM2即將進入HBM3，這個差距在於需要更加高頻高速的運算由原本的256GB/s進入到1075GB/s。

成本方面來看，HBM由於其複雜的設計及封裝工藝導致產能較低同時成本較高，HBM的平均售價至少是DRAM的三倍，此前受ChatGPT的拉動同時受限產能不足，HBM的價格一路上漲，與性能最高的DRAM相比HBM3的價格上漲了五倍。

HBM雖然價格遠高於普通DRAM，但相對於同樣靠近處理器的SRAM價格更低。隨著工藝成熟度提高帶來的產能釋放，其顯著的尺寸及低能耗優勢或將成為驅動HBM進入高端消費領域尤其是移動領域應用的重要力量。

全球HBM產業呈現三強鼎立

研調機構集邦科技指出，2022年三大HBM 市占率為：SK海力士50%、三星40%、美光10%。HBM 因受到AI伺服器的訂單需求暴增，讓整體的需求隨之而起，而上述做HBM DDR皆為南韓與美國廠商。